BFP183WE6327

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제조사 부품

BFP183WE6327

제조사
Rochester Electronics
설명
RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - rf
시리즈
-
재고
4546
데이터시트 온라인
-
문의
  • 시리즈:-
  • 패키지:Bulk
  • 부품 상태:Active
  • 트랜지스터 유형:NPN
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대):12V
  • 주파수 - 전환:8GHz
  • 잡음 지수(db typ @ f):0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • 얻다:22dB
  • 전력 - 최대:450mW
  • DC 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce:70 @ 15mA, 8V
  • 전류 - 수집기(ic)(최대):65mA
  • 작동 온도:150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지/케이스:SC-82A, SOT-343
  • 공급자 장치 패키지:PG-SOT343-4
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