Name: MT3S111TU,LF
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: MT3S111TU,LF
Rating: 5.0 (99 reviews)

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제조사 부품: MT3S111TU,LF

제조사: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

설명: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

범주: 이산 반도체 제품

가족: 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - rf

시리즈: -

재고: 3372

데이터시트 온라인: -

MT3S111TU,LF 알아채다

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시리즈:-
패키지:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
부품 상태:Active
트랜지스터 유형:NPN
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대):6V
주파수 - 전환:10GHz
잡음 지수(db typ @ f):0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
얻다:12.5dB

전력 - 최대:800mW
DC 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
전류 - 수집기(ic)(최대):100mA
작동 온도:150°C (TJ)
장착 유형:Surface Mount
패키지/케이스:3-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지:UFM

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