70T651S12DR

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제조사 부품

70T651S12DR

제조사
Renesas Electronics America
설명
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
범주
집적 회로
가족
메모리
시리즈
-
재고
0
데이터시트 온라인
70T651S12DR PDF
문의
  • 시리즈:-
  • 패키지:Tray
  • 부품 상태:Obsolete
  • 메모리 유형:Volatile
  • 메모리 형식:SRAM
  • 기술:SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기:9Mb (256K x 36)
  • 메모리 인터페이스:Parallel
  • 클럭 주파수:-
  • 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:12ns
  • 액세스 시간:12 ns
  • 전압 - 공급:2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도:0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지/케이스:208-BFQFP
  • 공급자 장치 패키지:208-PQFP (28x28)
배송 배송기간 재고 부품의 경우 주문은 3일 이내에 배송될 것으로 예상됩니다.
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