SI5906DU-T1-GE3

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제조사 부품

SI5906DU-T1-GE3

제조사
Vishay / Siliconix
설명
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 펫, MOSFET - 어레이
시리즈
-
재고
300000
데이터시트 온라인
SI5906DU-T1-GE3 PDF
문의
  • 시리즈:TrenchFET®
  • 패키지:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 부품 상태:Obsolete
  • 펫 타입:2 N-Channel (Dual)
  • 펫 특징:Logic Level Gate
  • 드레인-소스 전압(vdss):30V
  • 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:6A
  • (최대) @ id, vgs의 rds:31mOhm @ 4.8A, 10V
  • vgs(일) (최대) @ 아이디:2.2V @ 250µA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:8.6nC @ 10V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:300pF @ 15V
  • 전력 - 최대:10.4W
  • 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지/케이스:PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • 공급자 장치 패키지:PowerPAK® ChipFet Dual
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