GPA025A120MN-ND

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제조사 부품

GPA025A120MN-ND

제조사
SemiQ
설명
IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - igbts - 단일
시리즈
-
재고
0
데이터시트 온라인
GPA025A120MN-ND PDF
문의
  • 시리즈:-
  • 패키지:Tube
  • 부품 상태:Obsolete
  • igbt 유형:NPT and Trench
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대):1200 V
  • 전류 - 수집기(ic)(최대):50 A
  • 전류 - 펄스 컬렉터(icm):75 A
  • vce(on) (최대) @ vge, IC:2.5V @ 15V, 25A
  • 전력 - 최대:312 W
  • 스위칭 에너지:4.15mJ (on), 870µJ (off)
  • 입력 유형:Standard
  • 게이트 차지:350 nC
  • td(켜기/끄기) @ 25°c:57ns/240ns
  • 테스트 조건:600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • 역회복 시간(trr):480 ns
  • 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Through Hole
  • 패키지/케이스:TO-3
  • 공급자 장치 패키지:TO-3PN
배송 배송기간 재고 부품의 경우 주문은 3일 이내에 배송될 것으로 예상됩니다.
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