SI7123DN-T1-GE3

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제조사 부품

SI7123DN-T1-GE3

제조사
Vishay / Siliconix
설명
MOSFET P-CH 20V 10.2A PPAK1212-8
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 펫, MOSFET - 단일
시리즈
-
재고
20200
데이터시트 온라인
SI7123DN-T1-GE3 PDF
문의
  • 시리즈:TrenchFET®
  • 패키지:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 부품 상태:Obsolete
  • 펫 타입:P-Channel
  • 기술:MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압(vdss):20 V
  • 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:10.2A (Ta)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):1.8V, 4.5V
  • (최대) @ id, vgs의 rds:10.6mOhm @ 15A, 4.5V
  • vgs(일) (최대) @ 아이디:1V @ 250µA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:90 nC @ 4.5 V
  • vgs(최대):±8V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:3729 pF @ 10 V
  • 펫 특징:-
  • 전력 손실(최대):1.5W (Ta)
  • 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지:PowerPAK® 1212-8
  • 패키지/케이스:PowerPAK® 1212-8
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