CY14B104N-BA25XI

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제조사 부품

CY14B104N-BA25XI

제조사
Rochester Electronics
설명
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
범주
집적 회로
가족
메모리
시리즈
-
재고
331
데이터시트 온라인
CY14B104N-BA25XI PDF
문의
  • 시리즈:-
  • 패키지:Tube
  • 부품 상태:Obsolete
  • 메모리 유형:Non-Volatile
  • 메모리 형식:NVSRAM
  • 기술:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기:4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스:Parallel
  • 클럭 주파수:-
  • 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:25ns
  • 액세스 시간:25 ns
  • 전압 - 공급:2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도:-40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지/케이스:48-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지:48-FBGA (6x10)
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