MB85R256FPFCN-G-BNDE1

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제조사 부품

MB85R256FPFCN-G-BNDE1

제조사
Fujitsu Electronics America, Inc.
설명
IC FRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
범주
집적 회로
가족
메모리
시리즈
-
재고
0
데이터시트 온라인
MB85R256FPFCN-G-BNDE1 PDF
문의
  • 시리즈:-
  • 패키지:Tray
  • 부품 상태:Active
  • 메모리 유형:Non-Volatile
  • 메모리 형식:FRAM
  • 기술:FRAM (Ferroelectric RAM)
  • 메모리 크기:256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스:Parallel
  • 클럭 주파수:-
  • 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:150ns
  • 액세스 시간:150 ns
  • 전압 - 공급:2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도:-40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지/케이스:28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
  • 공급자 장치 패키지:28-TSOP I
배송 배송기간 재고 부품의 경우 주문은 3일 이내에 배송될 것으로 예상됩니다.
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