NXH50C120L2C2ES1G

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제조사 부품

NXH50C120L2C2ES1G

제조사
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
설명
IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - igbts - 모듈
시리즈
-
재고
0
데이터시트 온라인
-
문의
  • 시리즈:-
  • 패키지:Tube
  • 부품 상태:Active
  • igbt 유형:-
  • 구성:Three Phase Inverter with Brake
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대):1200 V
  • 전류 - 수집기(ic)(최대):50 A
  • 전력 - 최대:20 mW
  • vce(on) (최대) @ vge, IC:2.4V @ 15V, 50A
  • 전류 - 컬렉터 컷오프(최대):250 µA
  • 입력 커패시턴스(cies) @ vce:11.89 nF @ 20 V
  • 입력:Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC 서미스터:Yes
  • 작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Through Hole
  • 패키지/케이스:26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • 공급자 장치 패키지:26-DIP
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