F4100R12KS4BOSA1

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제조사 부품

F4100R12KS4BOSA1

제조사
IR (Infineon Technologies)
설명
IGBT MOD 1200V 130A 660W
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - igbts - 모듈
시리즈
-
재고
0
데이터시트 온라인
F4100R12KS4BOSA1 PDF
문의
  • 시리즈:-
  • 패키지:Bulk
  • 부품 상태:Active
  • igbt 유형:-
  • 구성:Three Phase Inverter
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대):1200 V
  • 전류 - 수집기(ic)(최대):130 A
  • 전력 - 최대:660 W
  • vce(on) (최대) @ vge, IC:3.75V @ 15V, 100A
  • 전류 - 컬렉터 컷오프(최대):5 mA
  • 입력 커패시턴스(cies) @ vce:6.8 nF @ 25 V
  • 입력:Standard
  • NTC 서미스터:Yes
  • 작동 온도:-40°C ~ 125°C
  • 장착 유형:Chassis Mount
  • 패키지/케이스:Module
  • 공급자 장치 패키지:Module
배송 배송기간 재고 부품의 경우 주문은 3일 이내에 배송될 것으로 예상됩니다.
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