RN1910FE,LF(CT

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제조사 부품

RN1910FE,LF(CT

제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
설명
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스
시리즈
-
재고
3730
데이터시트 온라인
RN1910FE,LF(CT PDF
문의
  • 시리즈:-
  • 패키지:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 부품 상태:Active
  • 트랜지스터 유형:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 전류 - 수집기(ic)(최대):100mA
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대):50V
  • 저항기 - 베이스(r1):4.7kOhms
  • 저항 - 이미 터베이스 (r2):-
  • DC 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce:120 @ 1mA, 5V
  • vce 포화(최대) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • 전류 - 컬렉터 컷오프(최대):100nA (ICBO)
  • 주파수 - 전환:250MHz
  • 전력 - 최대:100mW
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지/케이스:SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지:ES6
배송 배송기간 재고 부품의 경우 주문은 3일 이내에 배송될 것으로 예상됩니다.
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