MUN5116DW1T1

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제조사 부품

MUN5116DW1T1

제조사
Rochester Electronics
설명
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이, 사전 바이어스
시리즈
-
재고
144000
데이터시트 온라인
MUN5116DW1T1 PDF
문의
  • 시리즈:-
  • 패키지:Bulk
  • 부품 상태:Obsolete
  • 트랜지스터 유형:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 전류 - 수집기(ic)(최대):100mA
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대):50V
  • 저항기 - 베이스(r1):4.7kOhms
  • 저항 - 이미 터베이스 (r2):-
  • DC 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce:160 @ 5mA, 10V
  • vce 포화(최대) @ ib, ic:250mV @ 1mA, 10mA
  • 전류 - 컬렉터 컷오프(최대):500nA
  • 주파수 - 전환:-
  • 전력 - 최대:250mW
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지/케이스:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지:SC-88/SC70-6/SOT-363
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