MT3S113P(TE12L,F)

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제조사 부품

MT3S113P(TE12L,F)

제조사
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
설명
RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - rf
시리즈
-
재고
1818
데이터시트 온라인
MT3S113P(TE12L,F) PDF
문의
  • 시리즈:-
  • 패키지:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 부품 상태:Active
  • 트랜지스터 유형:NPN
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대):5.3V
  • 주파수 - 전환:7.7GHz
  • 잡음 지수(db typ @ f):1.45dB @ 1GHz
  • 얻다:10.5dB
  • 전력 - 최대:1.6W
  • DC 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
  • 전류 - 수집기(ic)(최대):100mA
  • 작동 온도:150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지/케이스:TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지:PW-MINI
배송 배송기간 재고 부품의 경우 주문은 3일 이내에 배송될 것으로 예상됩니다.
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