STGW50H65DFB2-4

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제조사 부품

STGW50H65DFB2-4

제조사
STMicroelectronics
설명
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - igbts - 단일
시리즈
-
재고
75
데이터시트 온라인
-
문의
  • 시리즈:HB2
  • 패키지:Tube
  • 부품 상태:Active
  • igbt 유형:Trench Field Stop
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대):650 V
  • 전류 - 수집기(ic)(최대):86 A
  • 전류 - 펄스 컬렉터(icm):150 A
  • vce(on) (최대) @ vge, IC:2V @ 15V, 50A
  • 전력 - 최대:272 W
  • 스위칭 에너지:629µJ (on), 478µJ (off)
  • 입력 유형:Standard
  • 게이트 차지:151 nC
  • td(켜기/끄기) @ 25°c:18ns/128ns
  • 테스트 조건:400V, 50A, 12Ohm, 15V
  • 역회복 시간(trr):92 ns
  • 작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형:Through Hole
  • 패키지/케이스:TO-247-4
  • 공급자 장치 패키지:TO-247-4
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