SGB02N120ATMA1

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제조사 부품

SGB02N120ATMA1

제조사
Rochester Electronics
설명
IGBT, 6.2A I(C), 1200V V(BR)CES,
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - igbts - 단일
시리즈
-
재고
235
데이터시트 온라인
SGB02N120ATMA1 PDF
문의
  • 시리즈:-
  • 패키지:Bulk
  • 부품 상태:Active
  • igbt 유형:NPT
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대):1.2 V
  • 전류 - 수집기(ic)(최대):6.2 A
  • 전류 - 펄스 컬렉터(icm):9.6 A
  • vce(on) (최대) @ vge, IC:3.6V @ 15V, 2A
  • 전력 - 최대:62 W
  • 스위칭 에너지:220µJ
  • 입력 유형:Standard
  • 게이트 차지:11 nC
  • td(켜기/끄기) @ 25°c:23ns/260ns
  • 테스트 조건:800V, 2A, 91Ohm, 15V
  • 역회복 시간(trr):-
  • 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지/케이스:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지:PG-TO263-3-2
배송 배송기간 재고 부품의 경우 주문은 3일 이내에 배송될 것으로 예상됩니다.
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