G3R160MT12J

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제조사 부품

G3R160MT12J

제조사
GeneSiC Semiconductor
설명
SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 펫, MOSFET - 단일
시리즈
-
재고
438
데이터시트 온라인
-
문의
  • 시리즈:G3R™
  • 패키지:Tube
  • 부품 상태:Active
  • 펫 타입:N-Channel
  • 기술:SiCFET (Silicon Carbide)
  • 드레인-소스 전압(vdss):1200 V
  • 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:22A (Tc)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):15V
  • (최대) @ id, vgs의 rds:192mOhm @ 10A, 15V
  • vgs(일) (최대) @ 아이디:2.69V @ 5mA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:28 nC @ 15 V
  • vgs(최대):±15V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:730 pF @ 800 V
  • 펫 특징:-
  • 전력 손실(최대):128W (Tc)
  • 작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지:TO-263-7
  • 패키지/케이스:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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