IRFR1018EPBF

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제조사 부품

IRFR1018EPBF

제조사
Rochester Electronics
설명
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 펫, MOSFET - 단일
시리즈
-
재고
4403
데이터시트 온라인
IRFR1018EPBF PDF
문의
  • 시리즈:HEXFET®
  • 패키지:Bulk
  • 부품 상태:Active
  • 펫 타입:N-Channel
  • 기술:MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압(vdss):60 V
  • 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:56A (Tc)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):-
  • (최대) @ id, vgs의 rds:8.4mOhm @ 47A, 10V
  • vgs(일) (최대) @ 아이디:4V @ 100µA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:69 nC @ 10 V
  • vgs(최대):±20V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:2290 pF @ 50 V
  • 펫 특징:-
  • 전력 손실(최대):110W (Tc)
  • 작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지:D-PAK (TO-252AA)
  • 패키지/케이스:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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