HTNFET-D

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제조사 부품

HTNFET-D

제조사
Honeywell Aerospace
설명
MOSFET N-CH 55V 8CDIP
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 펫, MOSFET - 단일
시리즈
-
재고
0
데이터시트 온라인
HTNFET-D PDF
문의
  • 시리즈:HTMOS™
  • 패키지:Bulk
  • 부품 상태:Active
  • 펫 타입:N-Channel
  • 기술:MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압(vdss):55 V
  • 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:-
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):5V
  • (최대) @ id, vgs의 rds:400mOhm @ 100mA, 5V
  • vgs(일) (최대) @ 아이디:2.4V @ 100µA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:4.3 nC @ 5 V
  • vgs(최대):10V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:290 pF @ 28 V
  • 펫 특징:-
  • 전력 손실(최대):50W (Tj)
  • 작동 온도:-55°C ~ 225°C (TJ)
  • 장착 유형:Through Hole
  • 공급자 장치 패키지:8-CDIP-EP
  • 패키지/케이스:8-CDIP Exposed Pad
배송 배송기간 재고 부품의 경우 주문은 3일 이내에 배송될 것으로 예상됩니다.
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