SPB03N60C3ATMA1

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제조사 부품

SPB03N60C3ATMA1

제조사
Rochester Electronics
설명
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 펫, MOSFET - 단일
시리즈
-
재고
2000
데이터시트 온라인
SPB03N60C3ATMA1 PDF
문의
  • 시리즈:CoolMOS™
  • 패키지:Bulk
  • 부품 상태:Obsolete
  • 펫 타입:N-Channel
  • 기술:MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압(vdss):650 V
  • 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:3.2A (Tc)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):10V
  • (최대) @ id, vgs의 rds:1.4Ohm @ 2A, 10V
  • vgs(일) (최대) @ 아이디:3.9V @ 135µA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:17 nC @ 10 V
  • vgs(최대):±20V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:400 pF @ 25 V
  • 펫 특징:-
  • 전력 손실(최대):38W (Tc)
  • 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지:PG-TO263-3-2
  • 패키지/케이스:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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