TP65H035G4WS

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제조사 부품

TP65H035G4WS

제조사
Transphorm
설명
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 펫, MOSFET - 단일
시리즈
-
재고
503
데이터시트 온라인
-
문의
  • 시리즈:-
  • 패키지:Tube
  • 부품 상태:Active
  • 펫 타입:N-Channel
  • 기술:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • 드레인-소스 전압(vdss):650 V
  • 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:46.5A (Tc)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):10V
  • (최대) @ id, vgs의 rds:41mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(일) (최대) @ 아이디:4.8V @ 1mA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:22 nC @ 0 V
  • vgs(최대):±20V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:1500 pF @ 400 V
  • 펫 특징:-
  • 전력 손실(최대):156W (Tc)
  • 작동 온도:-55°C ~ 150°C
  • 장착 유형:Through Hole
  • 공급자 장치 패키지:TO-247-3
  • 패키지/케이스:TO-247-3
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