Name: SIHB25N50E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIHB25N50E-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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제조사 부품: SIHB25N50E-GE3

제조사: Vishay / Siliconix

설명: MOSFET N-CH 500V 26A TO263

범주: 이산 반도체 제품

가족: 트랜지스터 - 펫, MOSFET - 단일

시리즈: -

재고: 8

데이터시트 온라인: SIHB25N50E-GE3 PDF

SIHB25N50E-GE3 알아채다

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시리즈:-
패키지:Tube
부품 상태:Active
펫 타입:N-Channel
기술:MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss):500 V
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:26A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):10V
(최대) @ id, vgs의 rds:145mOhm @ 12A, 10V
vgs(일) (최대) @ 아이디:4V @ 250µA

게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:86 nC @ 10 V
vgs(최대):±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:1980 pF @ 100 V
펫 특징:-
전력 손실(최대):250W (Tc)
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형:Surface Mount
공급자 장치 패키지:TO-263 (D²Pak)
패키지/케이스:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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