MJD112G

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제조사 부품

MJD112G

제조사
Rochester Electronics
설명
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 단일
시리즈
-
재고
30450
데이터시트 온라인
MJD112G PDF
문의
  • 시리즈:-
  • 패키지:Bulk
  • 부품 상태:Active
  • 트랜지스터 유형:NPN - Darlington
  • 전류 - 수집기(ic)(최대):2 A
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대):100 V
  • vce 포화(최대) @ ib, ic:3V @ 40mA, 4A
  • 전류 - 컬렉터 컷오프(최대):20µA
  • DC 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce:1000 @ 2A, 3V
  • 전력 - 최대:1.75 W
  • 주파수 - 전환:25MHz
  • 작동 온도:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지/케이스:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지:DPAK
배송 배송기간 재고 부품의 경우 주문은 3일 이내에 배송될 것으로 예상됩니다.
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