Name: MJ10012
Brand: NTE Electronics, Inc.
SKU: MJ10012
Rating: 5.0 (99 reviews)

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제조사 부품: MJ10012

제조사: NTE Electronics, Inc.

설명: T-NPN SI- PO DARL SW

범주: 이산 반도체 제품

가족: 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 단일

시리즈: -

재고: 419

데이터시트 온라인: -

MJ10012 알아채다

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시리즈:-
패키지:Bag
부품 상태:Active
트랜지스터 유형:NPN - Darlington
전류 - 수집기(ic)(최대):10 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대):400 V
vce 포화(최대) @ ib, ic:2.5V @ 2A, 10A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대):1mA

DC 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce:300 @ 3A, 6V
전력 - 최대:175 W
주파수 - 전환:-
작동 온도:-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형:Through Hole
패키지/케이스:TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지:TO-3

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