2SD1685G

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제조사 부품

2SD1685G

제조사
Rochester Electronics
설명
20 V, 5 A, LOW VCE(SAT), NPN SIN
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 단일
시리즈
-
재고
7400
데이터시트 온라인
2SD1685G PDF
문의
  • 시리즈:-
  • 패키지:Bulk
  • 부품 상태:Obsolete
  • 트랜지스터 유형:NPN
  • 전류 - 수집기(ic)(최대):5 A
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대):20 V
  • vce 포화(최대) @ ib, ic:500mV @ 60mA, 3A
  • 전류 - 컬렉터 컷오프(최대):100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce:280 @ 500mA, 2V
  • 전력 - 최대:1.5 W
  • 주파수 - 전환:120MHz
  • 작동 온도:150°C (TJ)
  • 장착 유형:Through Hole
  • 패키지/케이스:TO-225AA, TO-126-3
  • 공급자 장치 패키지:TO-126ML
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