CY7C2644KV18-300BZI

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제조사 부품

CY7C2644KV18-300BZI

제조사
Rochester Electronics
설명
QDR SRAM, 4MX36, 0.45NS PBGA165
범주
집적 회로
가족
메모리
시리즈
-
재고
116
데이터시트 온라인
CY7C2644KV18-300BZI PDF
문의
  • 시리즈:-
  • 패키지:Bulk
  • 부품 상태:Active
  • 메모리 유형:Volatile
  • 메모리 형식:SRAM
  • 기술:SRAM - Synchronous, QDR II+
  • 메모리 크기:144Mb (4M x 36)
  • 메모리 인터페이스:Parallel
  • 클럭 주파수:300 MHz
  • 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:-
  • 액세스 시간:-
  • 전압 - 공급:1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도:-40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 패키지/케이스:165-LBGA
  • 공급자 장치 패키지:165-FBGA (15x17)
배송 배송기간 재고 부품의 경우 주문은 3일 이내에 배송될 것으로 예상됩니다.
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