SCT10N120H

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제조사 부품

SCT10N120H

제조사
STMicroelectronics
설명
SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 펫, MOSFET - 단일
시리즈
-
재고
33428
데이터시트 온라인
-
문의
  • 시리즈:-
  • 패키지:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 부품 상태:Active
  • 펫 타입:N-Channel
  • 기술:SiCFET (Silicon Carbide)
  • 드레인-소스 전압(vdss):1200 V
  • 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:12A (Tc)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):20V
  • (최대) @ id, vgs의 rds:690mOhm @ 6A, 20V
  • vgs(일) (최대) @ 아이디:3.5V @ 250µA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:22 nC @ 20 V
  • vgs(최대):+25V, -10V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:290 pF @ 400 V
  • 펫 특징:-
  • 전력 손실(최대):150W (Tc)
  • 작동 온도:-55°C ~ 200°C (TJ)
  • 장착 유형:Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지:H2Pak-2
  • 패키지/케이스:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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