FQU12N20TU

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제조사 부품

FQU12N20TU

제조사
Rochester Electronics
설명
MOSFET N-CH 200V 9A I-PAK
범주
이산 반도체 제품
가족
트랜지스터 - 펫, MOSFET - 단일
시리즈
-
재고
20847
데이터시트 온라인
FQU12N20TU PDF
문의
  • 시리즈:QFET®
  • 패키지:Bulk
  • 부품 상태:Active
  • 펫 타입:N-Channel
  • 기술:MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압(vdss):200 V
  • 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:9A (Tc)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):10V
  • (최대) @ id, vgs의 rds:280mOhm @ 4.5A, 10V
  • vgs(일) (최대) @ 아이디:5V @ 250µA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:23 nC @ 10 V
  • vgs(최대):±30V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:910 pF @ 25 V
  • 펫 특징:-
  • 전력 손실(최대):2.5W (Ta), 55W (Tc)
  • 작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형:Through Hole
  • 공급자 장치 패키지:I-PAK
  • 패키지/케이스:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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